2025存储前瞻：推动AI发展的存储技术，高性能SSD的普遍应用前景

2024年，存储技术的飞速发展不仅为AI计算与云端应用带来了前所未有的便利，也标志着数据存储领域迈入了一个全新的时代。年初，行业巨头铠侠推出的首款量产车规级UFS 4.0存储解决方案，便预示着这一年的不凡。随后，其RM、PM和XG系列SSD携手HPE成功登陆国际空间站，进一步展示了其在高端存储市场的实力。

在追求更大存储容量的道路上，铠侠再次迈出关键一步。面对AI计算对企业级存储提出的更高要求，铠侠正式发布了第八代BiCS FLASH™技术，并推出了TLC和QLC两大系列。其中，QLC系列在单位空间内实现了存储容量的显著提升，2Tb QLC产品的位密度相比上一代提高了约2.3倍，写入能效比也提升了约70%。更令人瞩目的是，该系列采用了全新的产品架构，单个存储器封装内可堆叠16个芯片，提供了业界领先的4TB存储容量，同时保持了紧凑的封装设计。

这一技术的突破，意味着未来采用第八代BiCS FLASH™ QLC的存储产品将拥有质的飞跃，企业级SSD和数据中心级SSD的容量可轻松突破120TB大关。Pure Storage等公司已开始对这一技术进行测试，并认为它不仅能满足人工智能的严苛需求，还能在备份存储成本上实现显著优势。

与此同时，铠侠在PCIe 5.0与EDSFF规范上的布局也加速了企业级存储的普及。10月份，铠侠推出了全新XD8系列PCIe 5.0 EDSFF E1.S固态硬盘，这是其第三代E1.S产品，符合PCIe 5.0和NVMe 2.0规范，并支持OCP数据中心NVMe SSD v2.5规范。PCIe 5.0的传输效率相比PCIe 4.0翻倍，其高带宽和低延迟特性使得SSD在高负载场合下能够提供更多并发访问的可能性，从而满足AI、数据库、虚拟化、多媒体编辑等高性能需求。

铠侠还在前瞻性存储技术上进行了积极探索。例如，基于相变存储原理的XL-FLASH存储级内存与CXL技术的结合，将打造出功耗更低、位密度更高、读取速度更快的存储器。这一技术不仅有望提高存储器利用效率，还能实现显著的节能效果。而在车规级存储领域，铠侠也取得了重要进展，其车规级UFS 4.0产品已获得ASPICE二级认证，标志着其在结构化项目管理和软件开发流程上的成熟。

在新型存储技术的研发上，铠侠同样不甘落后。其宣布开发出的OCTRAM技术，是一种新型4F² DRAM，由高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。这一技术采用InGaZnO晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而显著降低DRAM功耗。无论是SSD独立缓存还是内存产品，这一技术都有望带来高性能、低功耗的产品表现。